创新·突破
SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉
碳化硅外延是产业链的关键环节，其质量直接影响着最终器件的性能表现。随着新能源汽车、光伏发电等领域的快速发展，我国碳化硅外延片市场规模持续扩大，呈现快速增长态势。与此同时，外延设备市场也保持稳步上升趋势，展现出广阔的发展前景。
6/8英寸 SiC衬底
同质外延生长
基于多年在碳化硅设备领域的技术积累，公司成功开发出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉，这一创新成果的取得，得益于公司完善的研发验证体系——配备千级洁净工艺车间，并构建了完整的配套系统：高纯特气供应系统确保工艺气体纯度，定制化尾气处理系统实现环保排放，精密工艺冷却水系统保障温控稳定性，这些专业化的硬件设施为新产品的工艺开发和性能验证提供了强有力的支撑。
性能优异：生长速率≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%，指标达到国际先进水平。
工艺灵活：支持N/P两种掺杂类型，满足不同产品需求。
稳定可靠：采用成熟的生长工艺，边部参数可控，工艺可调性强。
创新突破：新增掺杂气体工艺，提升生产稳定性。
专注技术创新 助力产业升级
晶升股份始终坚持技术创新驱动发展。SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉关键性能指标，包括生长速率（≥60μm/h）、膜厚均匀性（＜1%）和掺杂均匀性（＜2%）等，均已达到国际同类产品的先进水平。该设备的成功研发，标志着我们在碳化硅外延设备领域的技术实力再上新台阶，能够为客户提供更具竞争力的产品解决方案。
未来，我们将持续加大研发投入，深耕碳化硅设备领域的技术创新。通过与产业链伙伴的紧密合作，不断提升产品性能与服务质量，共同推动我国第三代半导体产业的高质量发展。我们相信，通过持续的技术积累和产业协同，中国半导体装备企业必将实现更大的突破。
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